在2000年的第一个月,Santa Clara University的Sergey Savastiou教授在Solid State Technology期刊上发表了一篇名叫《Moore’s Law – the Z dimension》的文章。这篇文章最后一章的标题是Through-Silicon Vias,这是Through-Silicon Via这个名词首次在世界上亮相。这篇文章发表的时间点似乎也预示着在新的千禧年里,TSV注定将迎来它不凡的表演。TSV示意图TSV,是英文Through-Silicon Via的缩写,即是穿过硅基板的垂直电互连。如果说Wire bonding(引线键合)和Flip-Chip(倒装焊)的Bumping(凸点)提供了芯片对外部的电互连,RDL(再布线
Law)是晶体管尺寸缩小、晶体管集成和降低成本的驱动力。但是电子系统,比如智能手机、无人驾驶汽车、类人机器人,则不仅仅包含晶体管和ICs。ICs摩尔定律(Moore’s
Law for
ICs)将电子信息产业引导成长为万亿美元产业,但是ICs摩尔定律(包括约每两年就增加晶体管集成度、降低成本)由于量子隧穿效应等因素,即将到达物理极限。因此,美国佐治亚理工学院(Georgia
Tech)的Rao R. Tummala教授认为,封装摩尔定律(Moore’s Law for
Packaging)在短期内,至少于降低成本方面,将会替代I